全球存储行业研究报告

行业规模、全DRAM竞争格局与主要厂商经营

竞争排名必须先从全品类DRAM开始。Counterpoint Research的季度收入份额数据显示，2026年第二季度Samsung以39%居首，SK hynix以26%居第二，Micron以25%居第三。这个排名反映了全DRAM收入，包括服务器、移动、客户端和图形等多个子市场；它不能被HBM收入份额替代。全DRAM的规模优势来自工艺、产能、产品组合、客户覆盖和供给分配的综合结果。

图 1：全品类DRAM的季度收入份额。数据来源：Counterpoint Research，2026年第二季度；该图是全DRAM口径，不与HBM或NAND份额混用。

主要厂商的最新经营表现与产品策略

Samsung于2026年7月公布第二季度合并收入171.5万亿韩元、营业利润89.5万亿韩元；其Device Solutions分部收入127.5万亿韩元、营业利润89.2万亿韩元。需要注意，DS并非纯内存分部，不能把该分部的全部收入或利润等同于存储器业务。公司在内存业务中明确把有限产能优先投入服务器相关产品，二季度放量HBM4并向主要客户交付HBM4E样品，重点覆盖HBM4、DDR5、SOCAMM2和企业级SSD。

SK hynix于2026年7月公布2Q26初步业绩：收入79.3187万亿韩元、营业利润60.5426万亿韩元、营业利润率76%；公司称同比收入和营业利润分别增长257%和557%。驱动因素是HBM、AI服务器DRAM和eSSD等高附加值产品的量价与组合改善。公司还披露HBM4在二季度开始量产出货、下半年增产，HBM4E完成样品出货；321层NAND已占其总产量最大份额，目标在年底约占韩国生产能力的50%。

Micron截至2026年5月28日的FY2026 Q3收入为414.56亿美元、GAAP营业利润333.18亿美元、GAAP净利润282.43亿美元；其Cloud Memory、Core Data Center、Mobile and Client与Automotive and Embedded四个事业部共同体现数据中心和AI相关产品对组合的拉动。美光披露HBM4已在领先客户平台高量出货、HBM4E使用1γ DRAM并预计2027年量产；其G9 PCIe Gen6高性能SSD和245TB QLC SSD亦开始出货。三家公司财年、分部定义和会计准则不同，报告只做经营趋势比较，不以利润率作机械横向排名。

表 2：主要存储厂商的最新经营与供给策略

HBM：份额、客户资格与有效供给紧缺

在HBM这一独立子市场，Counterpoint Research的2026年第一季度收入份额显示，SK hynix占58%，Samsung和Micron各占21%。海力士在HBM居首的结论因此成立，但其基础是HBM收入而非全DRAM收入。HBM的竞争不只是晶圆或位元竞争：供应商必须同时满足堆叠良率、功耗、带宽、热可靠性、base die、封装、测试以及GPU/AI ASIC平台资格。任何一项未达标，名义DRAM资源都不能转化为可交付HBM收入。

图 2：HBM的季度收入份额。数据来源：Counterpoint Research，2026年第一季度；HBM为独立子市场，份额不代表全DRAM排名。

SK hynix对2027供给压力的观点及其使用边界

SK hynix CEO Kwak Noh-jung在2026年7月10日接受Reuters采访时表示：“We forecast that next year will be the worst year in the industry’s history from the supply perspective.” 他进一步称，客户需求可能在2030年后仍高于公司自身供给能力。该表态的背景是AI基础设施对HBM、服务器DRAM和先进封装的拉动，以及供给扩张存在建设、材料、良率和认证时滞。Reuters同篇报道还提及UBS预期全球DRAM至少紧缺至2028年二季度。

报告不把这段表态直接转化为行业结论，原因有二。第一，供应商管理层拥有订单、客户计划和自身良率的一线信息，但也天然有稳定客户预期、维护长期合同和支持价格纪律的商业动机。第二，行业是否在2027年达到最紧状态取决于CSP资本开支、HBM4/4E爬坡、DRAM先进节点位元提升、封装交付、常规服务器配置和消费电子需求。报告的基准情景因此以TrendForce的DRAM供需判断、公司实际出货、库存与客户部署信号交叉验证，而不以单一厂商表态为核心证据。

表 3：HBM从晶圆到系统交付的紧缺链条

NAND：份额、技术迁移与企业级SSD需求

NAND的竞争逻辑不同于HBM。Counterpoint Research的2026年第一季度收入份额中，Samsung以29%居首，SK hynix以18%居第二，Kioxia以13%居第三。NAND的核心不是单一产品资格，而是高层数迁移、位元密度、成本、企业级SSD控制器/固件、QLC采用、工厂利用率和消费电子需求之间的共同作用。

图 3：NAND Flash的季度收入份额。数据来源：Counterpoint Research，2026年第一季度；图中仅显示公开资料中的前三位厂商。

TrendForce在2026年7月判断，NAND在2026年仍有4%至5%的供给缺口，AI服务器和高容量企业级SSD是支撑因素；同时，供应商主要通过工艺迁移而非大规模新增厂房增加位元。其对2027年的基准路径是：高层数迁移、新厂逐步爬坡和消费电子需求偏弱，使NAND在2027年下半年更可能转向平衡或偏松。这个判断包含两个需求层面的约束：服务器已占NAND位元需求40%以上，但手机和笔记本合计仍接近40%，消费端仍足以决定全市场的需求弹性。

Kioxia与Sandisk的联合制造为这一供给弹性提供了公司层面的例证。双方在2026年启动第十代3D NAND生产，并披露332层QLC技术相对第八代最多提升60%位元密度；这有助于提高位元产出和QLC在高容量存储中的经济性。但技术发布不等于即时全行业供给，仍须观察K2产线爬坡、良率、企业级SSD验证以及AI数据层级对新增QLC位元的吸收。

表 4：NAND从短缺到平衡的因果链

需求端：从AI资本开支到服务器存储配置

AI需求需要通过“资本开支—加速器/服务器—存储层级—终端服务”的链条分析。预训练要求持续高带宽的数据供给；后训练要求反复的数据回放、检查点和实验并行；推理和智能体则形成KV cache、长上下文、检索增强、会话状态和多步骤任务的容量需求。HBM服务于最靠近加速器的带宽需求，服务器DRAM与SOCAMM2服务于主机侧容量和多任务处理，企业级SSD承接模型、向量数据库和数据分层。报告不使用未经平台厂商公开验证的通用“8-GPU服务器TB级BOM”假设，以避免把客户定制配置伪装成行业事实。

表 5：AI生命周期与存储需求映射

云厂商披露的基础设施投资说明需求强度仍高。Microsoft FY2026 Q4资本开支为410亿美元，其中包括56亿美元融资租赁和358亿美元现金支付的不动产、厂房及设备；Alphabet 2026年Q2 CapEx为449亿美元，公司称其中绝大部分用于支持AI的技术基础设施；Amazon当季现金流量表中的“购置不动产和设备”为542.08亿美元。三项数据的定义和资产范围不同，尤其Amazon包含并非AWS或AI的项目，因此只能作为基础设施投资强度的并列指标。

图 4：三家云厂商的季度基础设施投资强度指标。来源：Microsoft FY2026 Q4、Alphabet 2026 Q2、Amazon 2026 Q2原始业绩材料；定义不同，不能相加为AI或存储器采购额。

供给、库存、价格与2027持续度

晶圆挤出与先进节点密度对冲

TrendForce估计，前三大供应商HBM晶圆投入占总DRAM晶圆投入的比例将从2025年的18%升至2026年的22%和2027年的30%，但HBM位元供给占比同期仅从8%升至9%和13%。该剪刀差解释了为什么HBM扩张会压缩常规DRAM可用资源。另一方面，美光1γ技术资料称，相对1β节点每片晶圆的位元密度提高超过30%。因此正确结论不是“HBM必然造成全DRAM供给不足”，而是：先进节点可部分对冲位元供给，但高端HBM和服务器DRAM的有效供给仍受到堆叠、封装和认证约束；客户端DDR4、LPDDR和成熟产品仍须单独判断。

图 5：从DRAM晶圆到AI系统交付的有效供给链。1γ位元密度数据来自美光技术资料；其余为基于公开供应链信息的结构化归纳。

库存与价格的分层传导

库存周期不是一个单一的“行业库存天数”。供应商库存与产能分配影响报价，OEM和云客户的补库影响合同谈判，模块厂和渠道的边际库存影响现货价格，终端品牌再把成本传导给PC、手机或企业客户。TrendForce的公开材料显示，2026年上半年PC OEM进行了补库，服务器客户下半年逐步建库存；同时客户端SSD库存偏高、eMMC/UFS在第三季度相对更充足。由此，供应商低库存、OEM补库和模块厂高库存可以在同一时期并存，且分别影响不同产品的价格。

图 6：库存、合同价、现货价和终端价格的传导框架。来源：TrendForce公开价格与库存评论；图示为本报告的方法论框架。

TrendForce预计2026年第三季度常规DRAM合同价环比上涨13%至18%，NAND合同价上涨10%至15%，但消费端客户的进一步涨价承受力下降。现货价格通常对边际库存、短期流动性和特定规格敏感；合同价反映季度采购和长期供给安排；终端价格受到库存缓冲和需求弹性约束。因此，合同、现货和终端价格可能分化，但不能在没有指定规格、客户和时点的情况下把“现货回调”外推为全行业拐点。

CXMT、在华工厂与地缘供应链

CXMT的影响必须以状态分层。Reuters于2026年8月报道，CXMT运营两座合肥和一座北京12英寸DRAM厂，消息人士称各设计能力约10万片/月；上海、合肥项目及进一步扩张若全部充分运营，设计能力可能超过60万片/月，而新增北京项目仍处于融资讨论早期。该信息不支持把“60万片/月”写成当前可售供给，也不支持用设计能力直接推算先进服务器DRAM或HBM位元。

图 7：CXMT产能信息的状态分层。来源：Reuters对知情人士的报道；不构成对当前满载产量、可售位元或全球份额的估计。

CXMT的短期战略意义在于提高中国通用DRAM的本地采购选择和区域供应弹性；它对全球先进HBM的短期有效供给影响有限，因为后者需要先进DRAM、逻辑base die、键合、封装和客户平台认证同步成熟。中期影响则取决于实际良率、产品组合、设备材料可得性、国内客户分配与海外认证。若新增通用DRAM位元在全球需求转弱时集中释放，其价格影响将首先出现在可替代性高、认证门槛低的细分市场。

地缘风险也不只影响中国本土厂商。Reuters报道，美国在2025年撤销三星和SK hynix中国工厂的VEU授权，后给予2026年度设备进口许可；两家公司仍担心后续限制影响工具维修、更换或升级。三星西安NAND厂、SK hynix大连NAND设施和无锡DRAM厂均处于这一政策与供应链交叉点。限制可能降低在华先进产线升级的弹性，也可能通过对中国设备的验证加速供应链本地化。

HBM4、先进封装与下一代内存架构

HBM4的关键意义不是单纯带宽升级，而是存储器与逻辑、封装和系统共同设计的强化。Samsung披露HBM4采用1c DRAM和4nm逻辑base die，12层容量24–36GB、16层可扩展至48GB，I/O由1024提高到2048；Micron披露36GB 12层HBM4进入高量出货，48GB 16层产品向客户送样；SK hynix展示16层48GB HBM4并表示从HBM4起采用TSMC先进逻辑制程base die。三条路线的共同点是：base die、堆叠、键合、2.5D/3D封装、热管理和系统认证共同决定竞争力。

HBM4有效供给链：独立图示

图 8：HBM4将竞争扩展至DRAM、逻辑base die、堆叠、先进封装、材料、测试与系统交付。来源：Samsung、SK hynix、Micron和TSMC公开材料；有效供给的共同约束详见图后表6。

HBM4价值链约束的进一步拆解

表 6：HBM4与下一代封装对供应链的影响

混合键合需要避免被过度前置。TrendForce于2026年7月援引行业信息称，Samsung和SK hynix在HBM4阶段仍主要采用热压键合，16层HBM4E可能是较早的混合键合导入窗口。因此本报告把混合键合定位为中长期供给能力门槛，而不是2026年已经全面释放的通用产能。CXL则更适合描述为内存扩展、池化和分层的补充工具；它在推理、KV cache和成本优化上可能有价值，但并不替代HBM的带宽和延迟属性。

情景框架、跟踪指标与免责声明

表 7：2026–2028情景框架。情景用于组织不确定性，不构成概率预测。

表 8：持续跟踪指标

信息来源、研究限制与免责声明

本报告依据WSTS行业统计，Counterpoint Research季度收入份额，TrendForce公开供需、库存、价格与技术研究，Samsung、SK hynix、Micron、Kioxia、Sandisk、TSMC及Marvell的公司材料，Microsoft、Alphabet和Amazon的原始业绩资料，以及Reuters对SK hynix、CXMT和在华存储工厂的报道。正文不使用上标编号或外部链接，所有关键数据均在正文或图注中说明机构、期间和定义。

已实现统计、公司财报和量产产品的可信度高于行业预测、管理层前瞻、媒体转述的规划产能和技术路线图。前瞻判断依赖AI资本开支、客户认证、良率、设备材料、政策、库存与消费电子需求等变量，可能与实际结果有重大差异。本报告仅用于行业研究与信息分析，不构成对任何个人或机构的投资、交易或融资建议。