A股半导体板块 SBI 泡沫指数日报
分析日期:2026-07-31(星期五) | 数据基准:2026-07-30(周四)收盘 | 申万半导体(801081.SI)
风险等级:临界区间(<65)
SBI 59.0 较上次(07-30报 60.7)▼ −1.7
SBI 总仪表盘
07-30 半导体再度重挫 −6.17%(中证 H30184),科创50 −5.38%、创业板 −3.97%,科技去杠杆进入加速段。
主力净流出约 83 亿、北向净卖出 24.45 亿(加速)、科创芯片 ETF 集体主力净流出(由前日净流入转为净流出),
拥挤度与资金流向维度回落。杠杆持续去化(融资余额降至 26129 亿)+ 美联储转鹰(10Y 美债上行至 4.67%)多空对冲,SBI 微降至 59.0、维持临界区。
六维度得分(07-30)
| 维度 | 得分 | 权重 | 环比(上次) |
| 估值 | 88 | 25% | ▼ −2 |
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| 拥挤度 | 46 | 25% | ▼ −3 |
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| 杠杆 | 33 | 15% | ▼ −2 |
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| 业绩兑现 | 70 | 15% | ≈ 0 |
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| 资金流向 | 38 | 10% | ▼ −7 |
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| 外部环境 | 62 | 10% | ▲ +5 |
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预警线 45 / 危险线 70。▲涨(风险升) ▼跌(风险降)。本次对比基准为 07-30 报(SBI 60.7,数据基准 07-29)。
关键市场指标(07-30)
板块口径:中证半导 H30184 −6.17%(收盘 12134.62,成交 3170 亿)、东财 01801081 −6.63%(成交 3794 亿)。
创业板指 −3.97%、科创50 −5.38%(1588.41)。
两市成交 2.34 万亿(放量 462 亿),涨跌 1768/3635,全市场涨停约 50 只;通富微电 / 瑞芯微跌停、华虹宏力 −10%+、寒武纪 −9%+,德明利午后涨停(存储分支异动)。
电子一级主力净流出 323.65 亿(半导体二级约 −83 亿);北向净卖出 24.45 亿(沪 −18.16 / 深 −6.29);科创芯片 ETF 集体主力净流出(588200 −6.61 亿等)。
六维度雷达图(本次 07-30 vs 上次 07-29)
红=本次(07-30) 灰=上次(07-29)。拥挤度(49→46)、资金流向(45→38)回落是 SBI 微降主因;外部(57→62)因美联储转鹰抬升、杠杆(35→33)持续去化部分对冲。
近30日 SBI 趋势
蓝线为 SBI 历史(自 06-17 起)。橙虚线=危险线 65,红虚线=极端危险 80。末点 07-31(59.0)较 07-30(60.7)微降,维持临界区;07-30 半导体重挫 −6.17% 但杠杆去化+美联储转鹰多空对冲。
估值与估值分位(乐咕乐股 / 理杏仁 2026/07/30,估值更新至 07-29)
| 指标 | 数值 | 历史分位 |
| TTM 市盈率(乐咕乐股等权估算) | ≈104 | 5年分位 ~94% |
| PE(理杏仁市值加权 270100) | 157.49 | 07-29 实值 77.66% |
| 市净率 PB(理杏仁 / 媒体) | ~10–12 | 仍处历史极高分位 |
| 媒体口径 PE | 147–210 | 近10年 99%+ 分位 |
| 美股费城半导体 PE | 28–35倍 | A股权溢价畸高 |
乐咕乐股等权 TTM PE 随板块 −6% 回落至 ≈104×(5 年分位 ~94%,较 07-29 的 111×/99.6% 明显回落);理杏仁市值加权 157.49×(77.66%)。
不论口径,分位均 >75%,泡沫仍未实质消化,是 SBI 估值维度维持 88 分的核心原因;长鑫上市(5–23× PE)拉低市值加权口径,等权 / 中位数口径仍处极值。
核心结论(5条)
1. SBI 59.0,临界区间,环比 ▼ −1.7(上次 07-30 报 60.7)。
07-30 半导体再度重挫 −6.17%(中证 H30184),科创50 −5.38%、创业板 −3.97%,科技去杠杆进入加速段。主力净流出约 83 亿、北向净卖出 24.45 亿(加速)、科创芯片 ETF 集体主力净流出(由前日净流入转为净流出),拥挤度(49→46)、资金流向(45→38)回落;但外部(57→62)因美联储转鹰而抬升,多空对冲使 SBI 仅微降。
2. 资金面全面恶化、拥挤度再降——SBI 回落主因。
电子一级主力净流出 323.65 亿(半导体二级约 −83 亿);北向净卖出 24.45 亿(连续两日净流出、加速);科创芯片 ETF 全面主力净流出(588200 −6.61 亿、588290 −1.28 亿、589130 −2.81 亿等),与此前“越跌越买”格局彻底反转。情绪退潮信号延续。
3. 估值极端仍是核心压舱(88分),泡沫未实质消化。
乐咕乐股等权 TTM PE ≈104×(5 年分位 ~94%);媒体口径 147–210×(近 10 年 99%+ 分位);较美股费半(28–35×)溢价畸高。长鑫上市拉低市值加权口径,但等权 / 中位数口径仍处极值。
4. 杠杆持续去化提供核心下行缓冲(33分)。
融资余额 26,129.69 亿(截至 07-29,单日 −255.48 亿),较 6 月底峰值(29,877 亿)累计去化约 3,750 亿;融资 / GDP ≈ 2.0%。去杠杆是 SBI 未进一步攀升的关键。
5. 业绩兑现强劲(70分);外部环境转紧(62分)。
三星 Q2 营业利润 +1814%、SK 海力士 +557% 印证存储景气;中报大面积预增延续。美联储 7-30 凌晨维持 3.5–3.75% 但 3 票反对加息、9 月加息概率升至 57–65%、10Y 美债会后上行至 4.67–4.68%、30Y 5.21%(2007 最高)——外部收紧部分对冲国内去风险。
本期重大事件:07-30 半导体再遭重挫 · 科技去杠杆加速段
2026-07-30(周四):半导体再度深跌,科技去杠杆进入加速段:
中证半导 H30184 −6.17%(成交 3170 亿)、东财 01801081 −6.63%、科创50 −5.38%、创业板 −3.97%。两市成交 2.34 万亿(放量 462 亿),超 3600 只个股下跌。
资金全面撤离科技:→电子一级主力净流出 323.65 亿(半导体约 −83 亿) →北向净卖出 24.45 亿(连续两日、加速) →科创芯片 ETF 集体主力净流出(由前日净流入反转)
盘面分化:通富微电 / 瑞芯微跌停、华虹宏力 −10%+、寒武纪 −9%+;存储分支午后异动,德明利地天板涨停(成交 11.12 亿);资金切向白酒 / 银行防御(白酒 +9.93 亿、银行 +24.58 亿)。
外部变量:美联储 7-30 凌晨维持 3.5–3.75% 不变但 3 票反对加息、9 月加息概率升至 57–65%、10Y 美债会后上行至 4.67–4.68%。
操作建议
仓位与节奏:SBI 59.0 维持临界区间,07-30 半导体再遭 −6.17% 重挫、资金全面撤离科技(主力/北向/ETF 三杀),是明确的拥挤度瓦解延续信号。短期防御为主,不急于抄底。未同时满足“两融回补+缩量企稳+北向净买”三信号前不判反转。
分化应对:规避 PEG>3 纯题材小票。以设备/存储双主线分批低吸——三星/海力士 Q2 业绩炸裂印证存储景气,德明利地天板显示存储分支已有抄底资金。关注“硬件→软件”切换与红利防御(白酒/银行)机会。
右侧确认信号:→两融结束去化并回补(当前 26129 亿仍降) →缩量企稳 →北向持续净买(当前连续净卖)。未同时满足不判反转。
风险监控:→美联储鹰派(3 票反对加息、9 月加息概率 57–65%、10Y 美债 4.67%)为最大外部压制 →估值分位仍 >90% 下任何利空可能触发踩踏 →若反弹无量+ETF持续减,警惕二次回踩至 50 以下。中期:SBI 回落至 50 下方可关注设备/存储主线低吸。
数据时效与来源
乐咕乐股/东方财富 2026/07/30(TTM PE ≈104 / 5y~94%)
理杏仁 2026/07/29(市值加权 PE 157.49 / 77.66%)
同花顺/财联社/每经/第一财经(07-30 收评)
财联社(电子一级主力 −323.65亿 / 半导体约−83亿)
每经/同花顺(北向净卖出 24.45亿)
上交所/深交所(两融 26129.69亿 截至 07-29)
东财 iFinD / Wind(科创芯片 ETF 主力净流出)
中新经纬/广发/同花顺(美联储维持3.5-3.75%、3票反对加息、10Y美债4.67-4.68%)
三星/SK海力士 Q2(营业利润 +1814% / +557%)
数据时效说明:指数/资金为 2026-07-30 收盘;估值为 07-29 收盘(07-30 按指数跌幅估算);融资余额截至 07-29。
环比对比基准:07-30 报告(SBI 60.7,基准 07-29)
免责声明:本报告为基于公开数据的量化监测产物,SBI 泡沫指数为风险度量工具而非投资建议。市场有风险,投资需谨慎。