A股半导体板块 SBI 泡沫指数日报
分析日期：2026-08-26（星期三） | 数据基准：2026-08-25（星期二）收盘 | 申万半导体（801081.SI）
风险等级：临界区间（<65）
SBI 61.6 较上次（08-25报 61.4）▲ +0.2
SBI 总仪表盘
61.6 / 100
● 临界区间（<65）
08-25 A股缩量探底回升（全市场成交 1.83 万亿、跌破 2 万亿地量线），半导体板块 −0.20%（盘中一度 −3%、尾盘修复）。
北向整体净卖出约 19–42 亿、半导体主力净流出 −19.5 亿，但 ETF 逢低吸金（科创半导体ETF华夏近 5 日 +50.5 亿），
资金面边际收敛而非“三杀”。SBI 61.6 与上次 61.4 基本持平，维持临界区间；估值仍处历史极值（>90% 分位）为唯一高风险的压舱。
六维度得分（08-25）
| 维度 | 得分 | 权重 | 环比(上次) |
|---|
| 估值 | 90 | 25% | — 0 |
|
| 拥挤度 | 47 | 25% | ▲ +1 |
|
| 杠杆 | 48 | 15% | ▼ −1 |
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| 业绩兑现 | 61 | 15% | ▲ +1 |
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| 资金流向 | 50 | 10% | ▲ +2 |
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| 外部环境 | 60 | 10% | ▼ −2 |
|
预警线 45 / 危险线 70。▲涨（风险升） ▼跌（风险降）。本次对比基准为 08-25 报（SBI 61.4，数据基准 08-24）。
关键市场指标（08-25）
板块口径：申万半导体(801081) 收盘 9607.54、−0.20%（成交 2319.8 亿，东财）；盘中一度 −3%（9:38 报2616点），尾盘修复。
科创50 +0.14%、创业板指 −1.00%、沪指 +0.19%（3889.44）。两市成交 1.83 万亿（跌破2万亿地量线，缩量约1800亿）。
涨停 70 只（全市场），半导体板块涨停 0 只（仅 *ST闻泰 +10%，ST 股）；兆易创新 +3.63%、寒武纪 +4.28% 局部修复。
半导体主力净流出 −19.5 亿；北向整体净卖出约 19–42 亿；ETF 分化（科创半导体ETF华夏近5日+50.5亿，多只科创芯片ETF净流出）。
六维度雷达图（本次 08-25 vs 上次 08-24）
红=本次（08-25） 灰=上次（08-24）。估值(90→90)稳态极值；拥挤度(46→47)、资金(48→50)小幅回升（ETF逢低吸金），杠杆(49→48)、外部(62→60)略降。
近30日 SBI 趋势
蓝线为 SBI 历史（自 06-17 起）。橙虚线=危险线 65，红虚线=极端危险 80。末点 08-26（61.6）较 08-25（61.4）基本持平，维持临界区。
估值与估值分位（中证指数 / 乐咕乐股 截至 2026-08-25）
| 指标 | 数值 | 历史分位 |
|---|
| 中证半导(931865) TTM PE | ≈164 | 10年分位 95.8% / 5年 94.1% |
| 申万半导体(801081) PE 分位 | 历史极值 | >90%（乐咕/理杏仁） |
| 科创芯片指数 PE | 169.78 | 近1年20–80%分位区间 |
| 市净率 PB（中证半导） | 10–12× | 随价格小幅波动 |
| 美股费城半导体 PE | 28–35倍 | A股权溢价畸高 |
中证半导(931865) TTM PE ≈164×（10 年分位 95.8% / 5 年 94.1%，截至 08-21）；申万半导体口径历史分位仍 >90%。
科创芯片指数 PE 169.78×（近 1 年 20–80% 分位区间 125–318），不同口径下宽基半导体指数分位仍居高位，
泡沫未实质消化，是 SBI 估值维度维持 90 分的核心原因。
核心结论（5条）
1. SBI 61.6，临界区间，环比 ▲ +0.2（上次 61.4）。
08-25 A股缩量探底回升（全市场成交 1.83 万亿、跌破 2 万亿地量线），半导体板块 −0.20%（盘中一度 −3%、尾盘修复）。北向净卖约 19–42 亿、半导体主力净流出 −19.5 亿，未现前期“三杀”；ETF 逢低吸金（科创半导体ETF华夏近 5 日 +50.5 亿），资金边际收敛、指数基本持平。
2. 估值极端仍是唯一高风险压舱（90分），泡沫未实质消化。
中证半导 PE≈164×（10 年分位 95.8%）；申万半导体口径分位仍 >90%，较美股费半（28–35×）溢价畸高。该维度是 SBI 维持临界区上方的核心拖累。
3. 拥挤度与资金边际改善（47/50）。
板块 0 涨停（仅 *ST闻泰 ST 股 +10%）、成交占比约 12.7%；ETF 逢低吸金显示“越跌越买”仍在，但北向净卖+半导体主力净流出说明增量资金未回流，仍为存量博弈。
4. 杠杆去化为下行提供缓冲（48分）。
两市融资余额 8574.92 亿（截至 08-22），连续 7 日减少、创 14 个月新低；半导体/算力方向融资盘持续偿还，杠杆风险处于低位。
5. 业绩兑现强劲（61分）；外部环境边际转弱（60分）。
佰维存储 H1 营收 +298%、净利 71.66 亿扭亏，存储涨价周期+AI 设备周期（中信看至 2028）；但 10Y 美债 4.70%、30Y 破 2007 高位（5.23–5.33%），杰克逊霍尔（8/28）与英伟达财报（8/27）为短期变量。
本期重大事件：08-25 缩量筑底 · 半导体深V修复
2026-08-25（周二）：A股缩量探底回升，半导体日内深 V、收盘近平：
沪指 +0.19%（3889.44）、创业板 −1.00%、科创50 +0.14%；半导体板块 −0.20%（盘中一度 −3%、成交 2320 亿）。两市成交 1.83 万亿，跌破 2 万亿地量线。
资金结构：→全市场主力 +80~120 亿（终结前日 ~800 亿净流出） →半导体主力 −19.5 亿 →北向整体净卖约 19–42 亿（收窄）
板块内部分化：寒武纪 +4.28%、兆易创新 +3.63% 局部修复；CPO 续弱（中际旭创 −2.78%）。资金从涨幅最大的光模块撤出，转向低位半导体设计与算力基础设施。
产业/政策催化：上海“十五五”规划攻关集成电路、小米连发玄戒 O3/O100/D100 三款自研芯片、佰维存储 H1 营收 +298%；科创半导体ETF华夏近 5 日吸金 50.5 亿。
操作建议
仓位与节奏：SBI 61.6 维持临界区间、与上次基本持平，“缩量地量+资金边际收敛”显示市场处筑底观察期。存量博弈下不追高，以低吸与防御为主。未同时满足“放量重回2万亿+两融回补+北向净买”三信号前不判反转。
分化应对：规避 PEG>3 纯题材小票与高位 CPO/光模块。以设备/存储双主线（长鑫链、半导体设备 ETF）分批低吸，关注上海“十五五”攻关与存储涨价业绩兑现。
右侧确认信号：→成交额重回 2 万亿以上 →融资余额结束连降并回补 →北向持续净买。未同时满足不判反转。
风险监控：→8/27 英伟达财报、8/28 杰克逊霍尔为短期最大变量（美债 30Y 破 2007 高位） →估值分位 >90% 下任何利空可能触发踩踏 →若反弹无量+ETF持续减，警惕二次回踩至 55 以下。中期：SBI 回落至 50 下方可加大设备/存储主线配置。
数据时效与来源
东财/同花顺（08-25 收评：申万半导体 −0.20% / 成交 2320亿）
中证指数/理杏仁（931865 PE≈164 / 10y分位95.8% 截至08-21）
东财资金流（半导体主力 −19.5亿 / 全市场主力 +80~120亿）
巨灵/网易（北向净卖约19–42亿 / 北向成交2674亿）
证券时报（融资余额8574.92亿 截至08-22 / 连续7日减）
ETF资金流（科创半导体ETF华夏近5日+50.5亿）
新浪/网易（10Y美债4.70% / 30Y 5.23–5.33%破2007高位）
CME（9月维持利率不变概率58.6%）
腾讯/每经（上海十五五规划 / 小米三芯片 / 佰维存储H1+298%）
数据时效说明：指数/资金为 2026-08-25 收盘；估值（中证半导）截至 08-21、申万口径为近期一致值；融资余额截至 08-22（最新可得）。
环比对比基准：08-25 报告（SBI 61.4，基准 08-24）
免责声明：本报告为基于公开数据的量化监测产物，SBI 泡沫指数为风险度量工具而非投资建议。市场有风险，投资需谨慎。